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静止式进相器总是烧可控硅

发布时间：2022-01-22

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发布者：源创大白

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问题描述：

我单位使用在3550KW的绕线式电机无功补偿用的是静止式进相器，自投入使用以来经常烧坏可控硅，一次都是坏2个，阴极与阳极击穿，原先以为温度高，因为工作时连接母排手摸也就是敢碰一下，后来加了冷却风机手能放在上面好几秒，但还是坏可控硅。可控硅使用的是KP系列1200A1800V的，现在不知道是可控硅选的

国产系列的晶闸管(可控硅)的耐压一般不会超过1500V!而3550KW(10KV)电动机的转子开路电压为1470V，接近可控硅的耐压极限，在进相切换时，如果可控硅的参数偏差较大时，很容易造成某一对可控硅击穿！通常是(-C,+A)，(-A,+B)，(-B,+C)其中的一对击穿，同时对应可控硅并联的阻容吸收回路必定击穿。

解决的办法:

1,挑选参数尽量一致的可控硅元件.

2,适当加大阻容吸收回路的时间常数.

3,适当控制电源电压,避免启动进相机时的过电压现象。

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